2月4日消息，据媒体报道，中国领先的存储企业长鑫存储(CXMT)已经开始准备必要设备，计划制造自己的HBM高带宽内存，以满足迫切的AI、HPC应用需求。

报道称，长鑫已经在向美国、日本的供应商下单采购制造、组装、测试HBM内存的必要设备。

这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。

消息人士称，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口HBM制造设备。

考虑到HBM内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。

目前，长鑫已经在合肥有了一座DRAM内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造HBM。

暂时还不清楚长鑫要生产的HBM是第几代，可能是HBM3，而国际上已经有了更先进的HBM3E，SK海力士还计划在2026年抢先投产HBM4。

根据规划，HBM4将抛弃用了将近十年的1024-bit位宽，首次升级到2048-bit位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。