近日，根据iFixit在他们拆解的iPhone7 Plus发现，该机采用了一颗编号为THGBX6T0T8LLFXF的东芝闪存（NAND）芯片，而这颗芯片就是TLC芯片。这意味着，128GB和256GB容量版iPhone 7可能采用了TLC闪存。需要指出的是，过去iPhone 6手机的部分64GB和128GB版本也采用了TLC闪存。

不了解固态硬盘的朋友，可能不知道什么是TLC闪存。手机硬盘由闪存颗粒组成，TLC就是闪存颗粒的一种。

TLC即Triple-Level Cell的缩写，是闪存的一种制造工艺，相比SLC闪存每个存储单元只能保存1bit数据，MLC闪存的存储单元可保存2bit，TLC则可保存3bit。TLC利用不同电位的电荷，一个浮动栅存储3个bit的信息，存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。可能有人会说这不就是个集成度多少的问题吗？事实不是这样。

无论是SLC、MLC、SLC其一个单元本身的晶体管数量是相似的，也就是说我们用物理上差不多的东西储存了更多的信息。但是存储更多的信息就等于带来了更多不稳定。但TLC制造成本比较低，仅有MLC闪存的50%，不过使用寿命和读写速度就要比MLC低很多了。

有人认为，苹果公司此举非常不厚道，国行iphone 7 32GB容量与128GB容量为800元人民币，只增加了96GB的容量。而目前最贵的采用PCI-E接口128GB MLC固态硬盘也就500元左右。

苹果公司通过容量大小提升产品溢价的确不厚道，但要是因为采用TLC闪存颗粒而怀疑硬盘使用寿命，大可不必。

以128GB为例，1000次擦写就是128*1000=128000GB，假如你每天写入20GB，一年就是365*20=7300GB，128000/7300≈17.5。换句话说，你每天用20GB也要17年才能达到设计使用寿命。如果iphone7能用17年，你应该担心主板能不能撑这么久，而不是硬盘。