2015年Intel、三星、TSMC都已量产16/14nm FinFET工艺，下一个节点是明年的10nm，而10nm之后的半导体制造工艺公认越来越复杂，难度越来越高，甚至可能让摩尔定律失效，需要厂商拿出更多投资研发新技术新材料。

TSMC在FinFET工艺量产上落后于Intel、三星，不过他们在10nm及之后的工艺上很自信，2020年就会量产5nm工艺，还会用上EUV光刻工艺。

TSMC日前举行股东会议，虽然董事长张忠谋并没有出席，不过两大联席CEO刘德音、魏哲家及CFO何丽梅都出席了会议，公布了TSMC公司Q2季度运营及技术发展情况，该公司调高了今年的资本支出到95-105亿美元，高于Intel公司的90-100亿美元，显示对未来发展的看好。

至于工艺进展，刘德音公布了TSMC的2020路线图，认为EUV光刻工艺在2020年时能有效降低量产5nm工艺的成本，TSMC计划在5nm节点上应用EUV工艺以提高密度、简化工艺并降低成本。

目前TSMC公司已经在7nm节点研发上使用了EUV工艺，实现了EUV扫描机、光罩及印刷的工艺集成。TSMC表示目前他们有4台ASML公司的NX:3400光刻机在运行，2017年Q1季度还会再购买2台。

之前有报道称三星也购买了ASML公司的量产型EUV光刻机，目的是在2017年加速7nm工艺量产。

EUV是新一代半导体工艺突破的关键，但进展一直比较缓慢，至少比三星、TSMC两家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣称在2016年的10nm节点就能用上EUV工艺，之后又说7nm节点量产EUV工艺，但现实情况并没有这么乐观，现在他们的说法也是2020年的5nm节点，跟Intel的预计差不多了。

5nm还很遥远，10nm及7nm还比较现实，TSMC表示他们的10nm工艺已经有三个客户完成流片，虽然没公布客户名称，但用得起10nm工艺的芯片也就是苹果A10、联发科X30（被海思、展讯刺激的联发科在X30上爆发了）以及海思新一代麒麟处理器，流片的估计就是这三家了。

TSMC表示今年底之前还会有更多客户的10nm芯片流片，该工艺将在2017年Q1季度量产。

至于7nm，TSMC表示他们已经提前256Mb SRAM芯片，进展顺利，CEO表示相信TSMC的7nm工艺在PPA密度、功耗及性能方面要比对手更出色，已经有高性能客户预计在2017年上半年流片，正式量产则是在2018年。