据TechPowerup报道，三星宣布推出业界首款单条容量512GB的DDR5内存模组，采用了High-K Metal Gate（HKMG）的DDR5内存颗粒，以降低漏电率。新的DIMM是为下一代使用DDR5内存的服务器设计的，包括使用AMD代号Genoa的Epyc系列处理器和英特尔代号Sapphire Rapids的Xeon系列处理器的服务器。

三星利用TSV硅穿孔技术实现8层堆叠，以确保低功耗和高质量的信号传输，单颗DRAM芯片容量为16Gb， 512GB的DDR5内存模组总共需要32颗。新的DDR5内存的性能比DDR4内存提高了一倍，最高可达7200Mbps的传输速率，可以满足超算、AI和机器学习等领域的计算要求。

这不是三星第一次使用HKMG工艺，早在2018年就开始应用在GDDR6显存上，所以这款DDR5内存的数据传输速率应该不低。三星表示由于DDR5电压降低、HKMG的应用和其他改进的帮助下，其功耗比前一代产品降低了13%。三星电子DRAM部门副总裁Young-Soo Sohn表示：

“三星是目前唯一一家能够使用HKMG制造内存芯片的半导体厂商。通过将这种创新工艺引入到DRAM制造，我们可以为客户提供高性能、高能效的内存解决方案，为医学研究、金融市场、自动驾驶、智慧城市以及其他领域所需的应用提供动力。”

如果服务器处理器的内存配置为八通道，且每通道有两个插槽，三星的512GB DDR5内存模组可以使每个处理器配备8TB的内存。三星表示已经开始和服务器领域的合作伙伴进行测试，预计下一代服务器处理器上市的时候，也会随之得到认证。